用N2-H2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响

• 作者: 徐茵 杨大智 王三胜 秦福文 隋郁 顾彪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ECR-PEMOCVD 氮化 缓冲层 立方GaN 氢等离子体
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.007

摘要

我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVE)技术在GaAs(001)衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响.发现氮化时在氮等离子体中加入氢等离子体对于立方GaN薄膜生长具有显著影响.和氮化过程中不加入氢等离子体相比,氮化过程中加入氢等离子体生长出的外延膜其X射线衍射(XRD)半高宽(FWHM)可以最高降低40%以上.原子力显微镜(AFM)观察表明:在N2-H2混合等离子中氮化过的衬底上外延的缓冲层表面变得更为平滑,晶粒也变得粗大.最后,我们提出了一个化学模型对上述结果进行了分析和解释..

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	40	235	8.0	14.0
2	顾彪		41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	26	207	8.0	13.0
4	杨大智	大连理工大学材料科学与工程系	84	1226	20.0	31.0
5	王三胜	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	13	97	5.0	9.0
6	隋郁	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	1	3	1.0	1.0