液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究

• 作者: 吴根柱 张兴德 李忠辉 杨进华 高欣
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 液相外延 大功率 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 214-217
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2001.02.019

摘要

用改进的液相外延法生长了大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构,达到了设计要求,阈值电流密度为300A/cm2,斜率效率达1.32W/A,具有很高器件质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李忠辉	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	11	44	4.0	6.0
2	杨进华	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	9	27	3.0	4.0
3	张兴德	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	21	81	5.0	8.0
4	高欣	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	15	79	5.0	8.0
5	吴根柱	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	3	11	2.0	3.0