电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应

• 作者: Arakawa Y Someya T 俞慧强 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压电极化 异质结 电容-电压方法
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 61-66
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.015

摘要

制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al0.22Ga0.78N势垒层厚度的二极管的电容-电压特性显著不同.根据对样品电容-电压特性的数值模拟,在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为30nm和45nm的样品中,异质界面的极化电荷面密度为6.78×1012cm-2.在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为75nm的样品中,极化电荷面密度降为1.30×1012cm-2.这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0.22Ga0.78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫.本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法.