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Ta2O5薄膜沉积在Ta的可能性和可靠性
Ta2O5薄膜沉积在Ta的可能性和可靠性
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摘要：
用Ta作底电极材料能够替代Ta2O5膜存储电容器传统的贵金属电极.所沉积的Ta2O5膜呈无定形,沉积在退火Ta底电极上的RTA加工(30s,O2气氛下800m℃)膜,在100kV/cm下介电常数为41,漏电流密度为10-9A/cm2,具有良好的电性能.时间相关介质击穿特性表明沉积在退火Ta底电极上的RTA处理Ta2O5MIM电容器,能在应力场为1.5MV/cm下使用10年.应用Ta作电极会大幅度降低工艺复杂性和未来高密度DRAM的生产成本.
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期刊影响力
电子产品与技术
主办单位：
中国国际贸易促进委员会
中国国际商会
出版周期：
月刊
ISSN：
1006-5083
CN：
11-3587/F
开本：
出版地：
北京市复兴门外大街1号
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创刊时间：
语种：
chi
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231
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