平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型

• 作者: 廖任远 李书平 王仁智 蔡淑惠 郑永梅
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 带阶 平均键能 异质结
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 182-186
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.020

摘要

将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系，发现平均带阶参数Emv.av=Em-Ev.av在不同应变状态下基本上保持不变。因此，在应变层带阶参数Emv的计算中，只需计算其发生应变前体材料的带阶参数Emv.0值并引用形变势b和SO裂距△0的实验值，通过简便的代数运算即可得到应变层的Emv值，从而方便地预言不同应变层异质结的价带带阶。本文引入带隙形变势aGap来描述带隙改变量△Eg随应变状态的变化。由导带带阶和价带带阶的关系△Ec=△Eg+△Ev可以求出不同应变情况下的导带带阶。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李书平	厦门大学物理系	23	51	3.0	5.0
2	王仁智	厦门大学物理系	14	35	3.0	5.0
3	郑永梅	厦门大学物理系	10	18	3.0	3.0
4	蔡淑惠	厦门大学物理系	22	76	6.0	7.0
5	廖任远	厦门大学物理系	2	3	1.0	1.0