基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

• 作者: 刘新福 孙以材 宋青林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁随机存储器 巨磁电阻 隧道磁电阻
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 46-50，64
• 页数: 6页
• 分类号: TP333.3
• 字数: 4629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.06.015

摘要

介绍了巨磁电阻(GMR)及隧道磁电阻(TMR)效应，讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材		117	1247	18.0	31.0
2	刘新福		39	354	9.0	17.0
3	宋青林		5	16	3.0	4.0