In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响

• 作者: 孙宝权 张志伟 王志路
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaInNAs/GaAs量子阱 低于带边发光 本征发光
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 151-156
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1478字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.013

摘要

研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示，随着In浓度的增加，GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善，低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上，为补偿In和N原子尺度的差异，N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志路		20	159	7.0	12.0
2	孙宝权	中国科学院半导体研究所	20	17	2.0	3.0
3	张志伟		14	32	4.0	5.0