高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化

• 作者: 亢宝位 吴郁 王哲 程序
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅辅助晶体管 最大集电极电流 版图 扩散表面浓度
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1444-1449
• 页数: 6页
• 分类号: TN323+6
• 字数: 4044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.019

摘要

对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题,并对此进行了计算机仿真及试验研究仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	亢宝位	北京工业大学电子信息与控制工程学院	28	291	10.0	16.0
3	王哲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	13	60	4.0	7.0
4	程序	北京工业大学电子信息与控制工程学院	9	81	4.0	9.0