Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能

• 作者: 于军 周文利 王华 王耘波 董晓敏 谢基凡
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积(PLD) 铁电薄膜 铁电存储二极管 锆钛酸铅(PZT)
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 641-645
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.021

摘要

采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺，制备了Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下，获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜.PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线，其剩余极化和矫顽场分别为13μC／cm2和48kV／cm.从C-V和I-V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象，记忆窗口约1.1V，＋4V偏压下电流密度为3.9×10－6A／cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中理工大学电子科学与技术系	13	68	5.0	7.0
2	董晓敏	华中理工大学电子科学与技术系	3	22	2.0	3.0
3	周文利	华中理工大学电子科学与技术系	11	50	4.0	6.0
4	王耘波	华中理工大学电子科学与技术系	7	19	2.0	4.0
5	谢基凡	华中理工大学电子科学与技术系	5	18	2.0	4.0