高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

• 作者: 张国义 秦志新 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: RHEED X-射线倒易空间图形 h-InN
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 209-212
• 页数: 4页
• 分类号: TN482.31
• 字数: 1264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.03.001

摘要

在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内变化.用X-射线衍射(XRD)和反射高能电子衍射(RHEED)法对InN膜进行了表征.发现在生长的初始阶段,所生长的InN属立方相,但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变.X-射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其c-轴主要沿GaAs的〈111〉B方向取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志忠	北京大学物理系介观物理实验室	12	173	5.0	12.0
2	张国义	北京大学物理系介观物理实验室	49	229	9.0	13.0
3	秦志新	北京大学物理系介观物理实验室	5	7	2.0	2.0