Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能

• 作者: Buechtemann A Wedel A 夏钟福 张冶文 张晓青
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔 SiO2 薄膜 驻极体 性能
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 491-196
• 页数: 6页
• 分类号: TM930|TN603
• 字数: 4027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.03.018

摘要

通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法制备的Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Gauss拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电荷陷阱深度进行了估算。实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电SiO2薄膜驻极体电荷的活化能为0.3eV和1.0eV ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响；降低栅压可以提高SiO2薄膜驻极体的电荷储存稳定性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏钟福	同济大学波耳固体物理研究所	79	508	12.0	19.0
2	张晓青	同济大学波耳固体物理研究所	30	93	5.0	7.0