利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的 势垒转变区的宽度

• 作者: 毛凌锋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FN电流 MOS结构 栅氧化层
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 228-233
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.024

摘要

通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度．给出了一种利用WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程，并得到一个FN电流的分析表达式．它可用来估计薄栅MOS结构的栅氧化层的势垒转变区的宽度．在转变区的宽度小于1nm时，它与数值求解薛定谔方程的结果吻合得很好，表明该方法可以用来估计势垒转变区的宽度．实验的结果表明B因子随温度有较大的变化，这个结果验证了该方法的部分预测结果．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0