掺钽的二氧化钛电容-压敏陶瓷电学性能研究

• 作者: 张沛霖 李长鹏 王矜奉 苏文斌 钟维烈 陈洪存
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏材料 二氧化钛 电学性能 缺陷势垒模型
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 压电及其他功能器件
• 页码范围: 113-115，123
• 页数: 4页
• 分类号: TN379
• 字数: 2281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.02.009

摘要

通过对样品I-V特性和势垒高度等参数的测定，研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的x(Ta2O5)0.25％为的样品显示出最低的反转电压(Eb=6 V/mm)、最高的非线性常数(α=8.8)以及最高的相对介电常数(εr=6.2×104)这与该样品最高且最窄的晶界缺陷势垒相一致。样品的电学性能变化可用Ta5+对Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释。相应的缺陷势垒模型用来解释势垒的形成。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟维烈	山东大学物理系	44	381	12.0	18.0
2	王矜奉	山东大学物理系	64	562	13.0	20.0
3	陈洪存	山东大学物理系	40	335	12.0	15.0
4	张沛霖	山东大学物理系	32	226	8.0	14.0
5	苏文斌	山东大学物理系	27	203	10.0	13.0
6	李长鹏	山东大学物理系	11	85	6.0	9.0