GaP薄膜的制备与性能研究

• 作者: 刘正堂 宋建全 耿东生 郑修麟 郭大刚
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: GaP薄膜 射频磁控溅射 增透保护膜系
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2001.10.008

摘要

利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑修麟		44	293	10.0	14.0
2	刘正堂		120	749	14.0	21.0
3	耿东生		15	150	8.0	12.0
4	宋建全		10	92	5.0	9.0
5	郭大刚		3	14	2.0	3.0