电子横向运动对共振隧穿的影响

• 作者: 宫箭 班士良
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 共振隧穿 耦合效应 透射系数
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: ·研究报告·
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: O471.3
• 字数: 2431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.01.010

摘要

讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象.对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏压情况下,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学物理系	58	198	8.0	9.0
2	宫箭	内蒙古大学物理系	8	20	2.0	4.0