宽禁带GaN基半导体激光器进展

• 作者: 章蓓
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 氮化物半导体 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 6850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.01.001

摘要

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章蓓	北京大学物理系	4	45	3.0	4.0