采用高真空／快速热处理／化学气相淀积外延SiGe HBT结构

• 作者: 林惠旺 贾宏勇 钱佩信 陈培毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相淀积 SiGe HBT
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 251-255
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.001

摘要

采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组分可以变化至0.25，可以得到控制良好的n型和p型掺杂层，适用于异质结双极型晶体管(HBT)的制作．研究了SiGe HBT的n-Si／i-p＋-i SiGe／n-Si结构．所制作出的微波HBT性能良好，证明了设备和工艺的水平．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子所	52	245	10.0	12.0
2	林惠旺	清华大学微电子所	18	150	8.0	11.0
3	钱佩信	清华大学微电子所	29	158	7.0	11.0
4	贾宏勇	清华大学微电子所	10	86	5.0	9.0