高消光比偏振不灵敏电吸收调制器

• 作者: 刘国利 周帆 孙洋 朱洪亮 王圩 陈娓兮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电吸收 调制器 偏振不灵敏EEACC:1250
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1374-1376
• 页数: 3页
• 分类号: TN761
• 字数: 486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.004

摘要

用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器,应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性,以及其高消光比(＞40dB)和低电容(＜O.5pF),保证了器件可以应用于高速率的传输系统(＞10GHz).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	32	94	6.0	7.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	47	124	6.0	7.0
3	周帆	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	28	59	4.0	5.0
4	孙洋	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	18	135	3.0	11.0
5	刘国利	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	9	35	3.0	5.0
6	陈娓兮	中国科学院半导体研究所光电子工艺中心	5	14	2.0	3.0