用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度

• 作者: 张国义 杨志坚 龙涛
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 空穴浓度 p-型 GaN Mg-注入
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.003

摘要

研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型 GaN.这一结果可以用于GaN基器件的p型层的欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义		49	229	9.0	13.0
2	杨志坚		11	156	4.0	11.0
3	龙涛		3	4	1.0	2.0