GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

• 作者: 史辰 徐晨 李建平 杜金玉 林兰英 沈光地 邹德恕 陈建新 高国 黄大定
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 气态源分子束外延 Si/SiGe HBT 双台面结构
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1035-1037
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.017

摘要

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平		251	4235	35.0	54.0
2	徐晨	北京工业大学电子信息与控制工程学院	63	295	9.0	13.0
3	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
4	陈建新	北京工业大学电子信息与控制工程学院	65	441	11.0	17.0
5	林兰英		33	145	7.0	10.0
6	邹德恕	北京工业大学电子信息与控制工程学院	58	270	10.0	12.0
7	史辰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	126	5.0	11.0
8	高国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	22	459	8.0	21.0
9	杜金玉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	40	4.0	6.0
10	黄大定		3	3	1.0	1.0