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摘要:
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,柱状晶直径约为100nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶,而晶界处存在较大的应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外光发射,晶界应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射.
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文献信息
篇名 直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 磁控溅射 光致发光光谱
年,卷(期) 2001,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1015-1018
页数 4页 分类号 TN304.2+1
字数 3051字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶志镇 155 1638 21.0 35.0
2 赵炳辉 74 719 14.0 24.0
3 陈汉鸿 6 252 5.0 6.0
4 刘榕 1 0 0.0 0.0
5 张昊翔 3 14 1.0 3.0
传播情况
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引文网络
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
磁控溅射
光致发光光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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