Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响

• 作者: 宋世庚 曲风钦 沈良
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: BaTiO3薄膜 PTCR特性 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 53-54
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 1400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.01.018

摘要

介绍了Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响.实验发现,当Y掺杂浓度在0.1mol%～1.5mol%时,薄膜的室温电阻为10～50Ω,突变温区为1℃.在[Y3+]=0.7mol%时,薄膜的升阻比达106.实验结果表明:薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈良	中国科学院新疆物理研究所	4	40	3.0	4.0
2	曲风钦	烟台大学物理系	4	28	2.0	4.0
3	宋世庚	中国科学院新疆物理研究所	11	263	10.0	11.0