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GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
作者:
张秀兰
朱文珍
黄大定
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
GexSi1-x合金
电解液
电化学C-V
摘要:
通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液,利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布.实验结果表明:采用这种电解液,利用电化学C-V载流子浓度纵向分布测量仪检测GexSi1-x/Si异质材料的载流子浓度纵向分布,重复性好,可靠性高.
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内容分析
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
GexSi1-x合金
电解液
电化学C-V
年,卷(期)
2001,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
288-291
页数
4页
分类号
TN304
字数
1968字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张秀兰
中国科学院半导体研究所
9
88
4.0
9.0
2
朱文珍
中国科学院半导体研究所
1
0
0.0
0.0
3
黄大定
中国科学院半导体研究所
3
3
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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(0)
共引文献
(0)
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节点文献
引证文献
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同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2001(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
GexSi1-x合金
电解液
电化学C-V
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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