多孔硅上生长Ge量子点的光学特性

• 作者: 叶志镇 王亚东 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 亚能带吸收 红外光探测器
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1116-1118
• 页数: 3页
• 分类号: TN215
• 字数: 1477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.005

摘要

采用量子尺寸的多孔硅作为衬底,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了Ge量子点.由于量子限制效应锗的PL谱发生了明显的蓝移,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外(5-6μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁(两个重空穴能级之间的跃迁),这为Ge量子点红外光探测器的应用提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学浙江大学微系统研究与开发中心	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学浙江大学微系统研究与开发中心	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学浙江大学微系统研究与开发中心	51	610	12.0	23.0
4	王亚东	浙江大学浙江大学微系统研究与开发中心	12	69	4.0	8.0