ATLEED研究6H-SiC(0001)-(3×3)R30°重构表面

• 作者: 何永健 唐叔贤 徐耕 谢茂海 邓丙成 陈文华 陈滢
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC(0001),表面重构,表面终止状态,LEED
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 106-110
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.021

摘要

低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明，该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接，它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算，得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐耕	中山大学物理系	4	2	1.0	1.0
2	邓丙成	华南建设学院西院基础部	3	2	1.0	1.0
3	陈滢	华南建设学院西院基础部	1	2	1.0	1.0
4	陈文华	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0
5	何永健	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0
6	谢茂海	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0
7	唐叔贤	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0