非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性

• 作者: Vincent M.C.Poon 秦明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镍 非晶硅 晶化
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.010

摘要

报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术，探讨了镍诱导晶化机理．详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响，并用Raman、AFM和TEM等测试了材料的特性．实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶；在晶化温度为625℃左右时晶体横向晶化速率最高．如要获得较长的晶体，低温退火则比较有利．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦明	东南大学微电子中心	10	99	6.0	9.0