等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究

• 作者: CAO Hui CHANG R P H LIU Xiang XU Jun-ying 姜秀英 杜国同 杨树人 王剑刚 王新强 王金忠 高鼎三
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体辅助MOCVD X光衍射 光致发光 激光阈值
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 502-503
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.2|O484.5
• 字数: 1554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.05.019

摘要

用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.