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一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术
一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术
作者:
A.Falcou
A.Scavennec
C.Courbet
G.Post
S.Sanchez
Y.Nissim
李拂晓
杨乃彬
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磷化铟
通孔
MMIC
摘要:
采用湿法技术发展了磷化铟MMIC的背面通孔刻蚀工艺,PMMA用作粘片剂,InP衬底粘附于玻璃版上,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜,HCl+H3PO4腐蚀液实现100μm的通孔腐蚀.已证实这种湿法通孔工艺宽容度大,精确可控.
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
磷化铟
通孔
MMIC
年,卷(期)
2001,(12)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
1497-1500
页数
4页
分类号
TN405
字数
867字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.004
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
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参考文献
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(0)
2001(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
磷化铟
通孔
MMIC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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