Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

• 作者: 唐景昌 汪雷 王学森
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅 扫描隧道显微镜 纳米颗粒
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 517-522
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.03.029

摘要

利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变。在生长早期T为350—1075K范围内，Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇，这些团簇的大小均在几个纳米范围内，并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合。当生长继续时，Si晶体小面开始显现。在晶态的Si3N4(0001)/Si(111)表面，Si的(111)小面生长比其他方向优先，生长方向与衬底Si(111)方向一致。最后在大范围内形成以(111)为主的晶面。相反，在非晶的Si3N4表面，即Si3N4/Si(100)，Si晶体的生长呈现完全随机的方向性，低指数面如(111)和(100)面共存，但它们并不占据主导地位，大部分暴露的小面是高指数面如(113)面。对表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪雷	浙江大学物理系	41	646	13.0	25.0
3	王学森	香港科技大学物理系	4	7	1.0	2.0
6	唐景昌	浙江大学物理系	15	23	3.0	4.0