Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹

• 作者: 任黎明 陈宝钦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束曝光 Monte Carlo方法 低能电子散射
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1519-1524
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.008

摘要

建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型,利用Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟.低能电子弹性散射采用较严格的Mott截面描述,为了节约机时,利用查表与线性插值方法获得Mott截面值;低能电子非弹性散射能量损失采用Joy修正的Bethe公式计算,并对其加以改进,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念,利用线性插值方法给出光刻胶PMMA对应的k值.对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法.在此基础上运用Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在PMMA-衬底中的复杂散射过程.模拟结果表明低能电子束曝光具有曝光效率高、邻近效应低、对衬底损伤轻等优点,与Lee、Peterson等人通过实验得出的结论相符.该研究将为电子束曝光技术的定量研究提供一定的理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宝钦	中国科学院微电子中心微光刻实验室	50	361	11.0	16.0
2	任黎明	中国科学院微电子中心微光刻实验室	5	63	4.0	5.0