Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性

• 作者: 孙英华 崔福现 张万荣 李志国 汪东 沈光地 王立新 程尧海 罗晋生 陈建新
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结双极晶体管 负阻 输出特性
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1132-1134
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.035

摘要

同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极--发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域.本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果.这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子系	57	418	12.0	18.0
2	沈光地	北京工业大学电子系	192	1444	18.0	29.0
3	罗晋生	西安交通大学微电子研究所	28	194	7.0	13.0
4	陈建新	北京工业大学电子系	65	441	11.0	17.0
5	张万荣	北京工业大学电子系	105	390	8.0	12.0
6	孙英华	北京工业大学电子系	8	27	3.0	5.0
7	程尧海	北京工业大学电子系	17	154	6.0	12.0
8	王立新	北京工业大学电子系	8	32	3.0	5.0
9	汪东	北京工业大学电子系	1	14	1.0	1.0
10	崔福现		1	14	1.0	1.0