PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

• 作者: 冯耀兰 姚炜 宋安飞 张海鹏 魏同立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PDSOINMOSFET 翘曲效应 温度解析模型 动态平衡
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1320-1324
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.019

摘要

报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
2	宋安飞	东南大学微电子中心	9	26	3.0	4.0
3	冯耀兰	东南大学微电子中心	11	26	3.0	4.0
4	张海鹏	东南大学微电子中心	7	24	3.0	4.0
5	姚炜	东南大学微电子中心	1	6	1.0	1.0