长柱状β-Si3N4晶粒与SiC晶须在层状Si3N4/BN复合材料中的作用

• 作者: 昝青峰 李淑琴 李翠伟 汪长安 黄勇
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 层状材料 SiC晶须 长柱状β-Si3N4 分隔层
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TQ153
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2001.05.006

摘要

用SiC晶须和长柱状β-Si3N4对Si3N4/BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对SiC晶须和原料中存在的少量β-Si3N4晶粒有一定的定向作用，而基体层中定向分布的SiC晶须和长柱状的β-Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料，其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于50%；分隔层中β-Si3N4的定向度较差，但这有利于形成网状结构，在分隔层中起到骨架的作用，同时还可以增加裂纹的扩展长度，改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为Si3N4+20wt%SiC晶须（基体层），BN+15vol%β-Si3N4（分隔层），其断裂功可达4820J/m2，抗弯强度仍可保持在650MPa。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄勇		173	2711	27.0	42.0
2	汪长安		102	944	16.0	24.0
3	李淑琴		4	50	3.0	4.0
4	昝青峰		21	133	7.0	10.0
5	李翠伟		5	46	4.0	5.0