利用紫外激光以及H2O2和HF的混合溶液对硅片进行光化学蚀刻

• 作者: 刘焰发 村原正隆 杨杰
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外激光 过氧化氢(H2O2) 光化学蚀刻
• 年，卷（期）: 2001,（20）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1751-1754
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.20.020

摘要

讨论了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的方法,使用过氧化氢和氟化氢混合水溶液作为化学媒质,分别使用193 nm准分子激光和266 nm四倍频固体Nd:YAG激光作为光源.实验结果显示,可以不需要任何抗蚀膜,直接在硅表面进行图案蚀刻.对于193 nm波长,在H2O2/HF质量比为1.3时,得到最佳蚀刻深度.在29 mJ@cm-2能量密度和10000个脉冲照射下,得到210 nm的蚀刻深度.在相同条件下,使用H2O2与HF混合液时的蚀刻深度大约是使用H2O与HF混合液时的4倍.对于266 nm波长,在H2O2/HF质量比为2时,得到最佳蚀刻深度.在12 mJ@cm-2能量密度和30000个脉冲照射下,得到420 nm的蚀刻深度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰		11	44	4.0	6.0
2	刘焰发		4	31	3.0	4.0
3	村原正隆	东海大学工学部	1	12	1.0	1.0