组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究

• 作者: 刘平 史国良 徐文兰 朱德彰 李志锋 李明乾 潘浩昌 缪中林 胡军 蔡炜颖 袁先漳 陆卫 陈平平 陈昌明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 不对称耦合双量子阱(ACDQW) 组合注入 显微光荧光谱 光调制反射光谱 界面混合
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 116-119
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2780字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.023

摘要

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱(ACDQW)，采用组合注入质子的方法，在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元，没有经过快速热退火的过程，在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱，发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到81meV.由于样品未作高温热退火处理，为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式.耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感.