低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

• 作者: 李明月 杨增敏 潘宏菽 贾宏勇 钱佩信 陈培毅 黄杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 异质结晶体管 微波功率晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1188-1190
• 页数: 3页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.020

摘要

给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作状态,1GHz的工作频率下,输出功率可以达到1.65W,具有8dB的增益.3V时可以达到的最高收集极效率为67.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子所	52	245	10.0	12.0
2	钱佩信	清华大学微电子所	29	158	7.0	11.0
3	贾宏勇	清华大学微电子所	10	86	5.0	9.0
4	潘宏菽		1	3	1.0	1.0
5	黄杰		1	3	1.0	1.0
6	杨增敏		1	3	1.0	1.0
7	李明月		1	3	1.0	1.0