CdCl2气相退火对CdS薄膜的影响

• 作者: 冯良桓 张静全 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 邵烨 郑家贵 黎兵
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 CdS薄膜 退火
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 156-158
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2001.z1.010

摘要

对CdS进行CdCl2后处理是制备高效率CdS／CdTe多晶太阳能薄膜电池的关键步骤。研究了CdS薄膜的CdCl2气相热处理，用XRD、UV／Vis表征热处理前后薄膜的结构、晶粒尺寸及禁带宽度的变化。对比研究了有无CdCl2处理的CdS薄膜的结构差异。首次发现在410 ℃，无CdCl2热处理的CdS膜出现金属镉。随退火温度的增加和退火时间的延长，薄膜的立方结构被破坏。退火温度高于410 ℃，CdS的（111）衍射峰强度急剧减弱，470 ℃退火1 h后几乎完全消失。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎兵	四川大学材料科学系	44	264	8.0	15.0
2	冯良桓	四川大学材料科学系	78	424	10.0	17.0
3	蔡亚平	四川大学材料科学系	33	302	10.0	16.0
4	郑家贵	四川大学材料科学系	49	317	9.0	15.0
5	张静全	四川大学材料科学系	69	285	8.0	15.0
6	蔡伟	四川大学材料科学系	30	296	10.0	16.0
7	武莉莉	四川大学材料科学系	56	217	8.0	13.0
8	邵烨	四川大学材料科学系	4	77	3.0	4.0