湿沉降对人工染污绝缘子闪络特性的影响

• 作者: 余德芬 卢至 司马文霞 孙才新 顾乐观
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 湿沉降 闪络电压 氯化钠 人工染污
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TM85
• 字数: 3009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2001.04.022

摘要

分析和讨论了不同湿沉降环境下人工染污绝缘子闪络规律存在的差异, 对试验湿沉降提出了自己的观点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	司马文霞	重庆大学电气学院	145	4616	41.0	59.0
2	孙才新	重庆大学电气学院	379	13536	63.0	93.0
3	顾乐观	重庆大学电气学院	16	457	11.0	16.0
4	余德芬	重庆大学电气学院	2	41	2.0	2.0
5	卢至	重庆大学电气学院	3	45	3.0	3.0