超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱

• 作者: 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接隧穿 超薄栅氧化层 陷阱参数 可靠性
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 765-769
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.019

摘要

随着器件尺寸的迅速减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.根据比例差值算符理论和弛豫谱技术,针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的弛豫谱--恒压应力下的直接隧穿弛豫谱(DTRS).该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点,能够分离和表征超薄栅MOS结构不同氧化层陷阱,提取氧化层陷阱的产生/俘获截面、陷阱密度等陷阱参数.直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅MOS结构中陷阱的产生和复合,为超薄栅MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子研究所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子研究所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子研究所	52	102	5.0	7.0
4	卫建林	北京大学微电子研究所	7	19	3.0	4.0