离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

• 作者: 刘忠立 王延峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化薄SiO2栅 氮离子注入 硼穿透 FN应力
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 881-884
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.013

摘要

研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%.栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N+离子形成了更稳定的键所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
2	王延峰	中国科学院半导体研究所	1	5	1.0	1.0