Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性

• 作者: 于卓 余金中 成步文 李代宗 梁骏吾 王启明 雷震霖 黄昌俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-x-yGexCy材料 固相外延 应变补偿
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.009

摘要

研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同，二者在各处的组分比并不恒定，存在着纵向分布，因此各处的应变补偿情况也不尽相同．利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析，得出了外延层中存在应变完全补偿区域时Ge、C的峰值浓度比NGe/NＣ应满足一定的取值范围．通过制备不同C组分的样品对上述结论进行了验证，得出的结果与理论预言基本相符．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
3	李代宗	中国科学院半导体研究所	4	2	1.0	1.0
4	成步文	中国科学院半导体研究所	41	185	8.0	10.0
5	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0
6	黄昌俊	中国科学院半导体研究所	6	33	3.0	5.0
7	于卓	中国科学院半导体研究所	5	9	2.0	3.0
8	雷震霖	中国科学院半导体研究所	3	101	2.0	3.0