双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量

• 作者: 张利春 金海岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极晶体管 锗硅基区 禁带变窄量
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 456-459
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.014

摘要

采用一种新的方法计算双极器件中离子注B硅基区和原位掺B的锗硅基区禁带变窄量．在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下，应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得禁带变窄量．这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发，利用VBE做自变量，在室温和液氮温度下测量器件的Gummel图，选取lnIC随VBE变化最为线性的一部分读出VBE及相应的IC数值，获得两条VBE-lnIC直线，通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG．利用这种方法测试了硅双极器件和锗硅基区双极器件，其基区禁带变窄量分别为41meV和125meV，这个测量结果与文献中的数值符合较好．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张利春	北京大学微电子学研究所	18	48	4.0	5.0
2	金海岩	北京大学微电子学研究所	12	32	4.0	5.0