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摘要:
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
互补型金属氧化物集成电路
静电放电
保护电路
电源和地
集成电路的分类
集成电路
数字集成电路
模拟集成电路
分类
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 集成电路布图设计保护条例
来源期刊 四川政报 学科 社会科学
关键词 集成电路布图设计保护条例 中国 专利保护
年,卷(期) 2001,(14) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-6
页数 3页 分类号 G306
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路布图设计保护条例
中国
专利保护
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川政报
月刊
1006-1991
CN 51-1003/D
成都市督院街30号
出版文献量(篇)
2900
总下载数(次)
2
总被引数(次)
0
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