高纯GaAs中的等离子体振荡现象

• 作者: 郑一阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 新的体效应器件 体等离子体器件 雪崩等离子体 振荡源及磁敏器件
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1329-1334
• 页数: 6页
• 分类号: TN387
• 字数: 4992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.021

摘要

报道了一种新的半导体体效应器件--体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1 2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑一阳	中国科学院半导体研究所	4	13	2.0	3.0