硅压阻输出微传感器的1/f噪声

• 作者: A.Boisen J.THAYSEN O.HANSEN 于晓梅 江兴流
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 悬臂梁 1/f噪声 压敏 Hooge因子
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1182-1187
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 4829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.019

摘要

从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声.选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料,设计了16种不同尺寸的力敏Wheastone电桥,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火,共获得256种压阻输出的微传感器.测量所有器件的噪声,并对噪声谱进行理论分析,实验结果表明单晶硅具有最低的1/f噪声和Hooge因子(α)的值,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅.几何尺寸大的力敏电阻具有低的1/f噪声,但α值不受器件尺寸的影响.掺杂浓度增加10倍时,不同器件的1/f噪声降低介于35%-50%之间.相比950℃、10min退火条件,1050℃、30min的高温长时间退火的器件,其1/f噪声降低约65%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江兴流	北京航空航天大学物理系	27	70	5.0	7.0
2	于晓梅	北京航空航天大学物理系	2	5	1.0	2.0
3	J.THAYSEN	丹麦技术大学微电子中心	1	5	1.0	1.0
4	O.HANSEN	丹麦技术大学微电子中心	1	5	1.0	1.0
5	A.Boisen	丹麦技术大学微电子中心	1	5	1.0	1.0