新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距的优化

• 作者: 何进 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场限环 击穿电压 峰值电场 环间距
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 700-705
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.005

摘要

提出了一个新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距优化.采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式. 讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响,并用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对解析计算进行了验证. 根据临界电场击穿近似,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式. 在一定结深和掺杂浓度时,理论计算给出了与数值分析一致的优化环间距和最高击穿电压值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0