正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET

• 作者: 何进 张兴 黄如 黄爱华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 正向栅控二极管 R-G电流 NMOSFET pocket或halo注入区 界面态 有效表面浓度
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 826-831
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.003

摘要

使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对正向栅控二极管R-G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究.数值分析表明:由于栅控正向二极管界面态R-G电流的特征,沟道工程pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态R-G电流特征峰的附加特征峰.该峰的幅度对应于pocket或halo区的界面态大小,而其峰位置对应于pocket或halo区的有效表面浓度.数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对pocket或halo 区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对pocket或halo区的有效表面浓度变化的敏感性.根据提出的简单表达式,可以用实验得到的R-G电流的特征直接抽取沟道工程的pocket或halo注入区的界面态和有效表面浓度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0
4	黄爱华	北京大学微电子学研究所	5	5	2.0	2.0