薄膜全耗尽SOI CMOS器件和电路

• 作者: 刘新宇 孙海锋 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI CMOS器件 全耗尽 双栅 注Ge硅化物
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 947-950
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.027

摘要

对全耗尽SOI(FD SOI)CMOS器件和电路进行了研究,硅膜厚度为70nm.器件采用双多晶硅栅结构,即NMOS器件采用P+多晶硅栅,PMOS器件采用N+多晶硅栅,在轻沟道掺杂条件下,得到器件的阈值电压接近0.7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞(Voids),采用了注Ge硅化物工艺,源漏方块电阻约为5.2Ω/□.经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路.其中当工作电压为5V时,0.8μm 101级环振单级延迟为45ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
3	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0