一种新的深硅槽工艺技术

• 作者: 洪海燕 王明善 贾永华 郑宜钧
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深硅槽 硅隔离
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.95
• 字数: 952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.03.016

摘要

提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口硅的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑宜钧		1	0	0.0	0.0
2	王明善		1	0	0.0	0.0
3	贾永华		1	0	0.0	0.0
4	洪海燕		1	0	0.0	0.0