发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAs HBT电流增益的理论分析

• 作者: 严北平 张鹤鸣 戴显英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HBT 解析模型
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 分类号: TN322\++.8
• 字数: 3259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.014

摘要

建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型.理论分析了发射极-基极-发射极布局的PNP型HBT的电流增益.讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触处的界面复合电流，基区体内复合电流，以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
3	严北平	西安电子科技大学微电子研究所	5	7	2.0	2.0